Справочные данные П216В

П216В
Нет в продаже

Транзистор германиевый сплавной, структуры p-n-p, универсальный, низкочастотный, мощный. Предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 12.5 гр. , крепёжного фланца 4,5 гр.

Основные параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при напряжении коллектор-база 10 V, токе коллектора 0.1 A
100 kHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 4 A, напряжении коллектор-эмиттер 0.75 V
18
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2 A, токе базы 0.3 A
0.5 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3.5 A, токе базы 0.5 A
1.5 V
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 35 V, температуре 293 K
2 mA
Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 0 Ohm, напряжении коллектор-эмиттер 35 V
20 mA
Плавающее напряжение эмиттера при напряжении коллектор-база 35 V
0.5 V

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база при сопротивлении база-эмиттер 0 Ohm
35 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 0 Ohm
35 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
15 V
Постоянный ток коллектора
7.5 A
Постоянный ток базы
0.75 A
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 298 K
24 W
Температура перехода
358 K
Тепловое сопротивление переход-корпус
2.5 K/W
Температура окружающей среды
213 ... 343 K

Габаритный чертеж и расположение выводов:

П216В
  © d-vt.ru, 2014 - 2019
Яндекс цитирования
Рейтинг@Mail.ru