Нет в продаже
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, низкочастотный, мощный. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,7 гр.
Аналоги: BD175
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 0.25 A
3 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе эмиттера 1 A, напряжении коллектор-эмиттер 2 V
25
Граничное напряжение при длительности импульса 300 μs, скважности 100, токе эмиттера 100 mA
45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 A
0.6 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 1 A, токе базы 0.1 A
1.5 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 1 MHz
60 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0.5 V
115 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 45 V, температуре 373 K
3000 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер при температуре коллектора 233 ... 373 K
5 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1 kOhm, температуре коллектора 233 ... 373 K
45 V
Постоянный ток коллектора при температуре коллектора 233 ... 373 K
3 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 20 ms, скважности 100, температуре коллектора 233 ... 373 K
6 A
Постоянный ток базы при температуре коллектора 233 ... 373 K
1 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при температуре коллектора 233 ... 298 K
25 W
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 233 ... 298 K
1 W
Температура перехода
150 °С
Температура окружающей среды
-40 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
