Нет в продаже
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры p-n-p универсальный, низкочастотный, мощный. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,7 гр.
Аналоги: MJE32E
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 10 V, токе коллектора 0.25 A
3 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 2 A, напряжении коллектор-эмиттер 2 V
15
Граничное напряжение при длительности импульса 300 μs, скважности 100, токе эмиттера 100 mA
80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3 A
1 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3 A, токе базы 0.3 A
1.5 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 465 KHz
60 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0.5 V, частоте 465 kHz
115
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 100 V, температуре коллектора 373 K
3000 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер
5 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1 kOhm
100 V
Постоянный ток коллектора
3 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 20 ms, скважности 100
6 A
Постоянный ток базы
1 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при температуре коллектора 233 ... 298 K
25 W
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 233 ... 298 K
1 W
Температура перехода
125 °С
Температура окружающей среды
-40 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
.GIF)