Нет в продаже
Транзистор кремниевый, мощный, низкочастотный, структуры - p-n-p. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора около 0,7 гр.
Аналоги: BD170
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока при токе эмиттера 0.03 A, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
3 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 2 V, токе эмиттера 0.15 A
30 A
Граничное напряжение при длительности импульса 300 uS, скважности 100, токе эмиттера 50 mA
80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 0.5 A, токе эмиттера 0.05 A
0.6 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 0.5 A, токе базы 0.05 A
1.2 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5 V, частоте 465 kHz
60 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0.5 V, частоте 465 kHz
75 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40 V, температуре коллектора 298 K
50 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер
5 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 100 Ohm
100 V
Постоянный ток коллектора
1.5 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 10 mS, скважности 100
3 A
Постоянный ток коллектора в режиме усиления
20 mA
Постоянный ток базы
0.5 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при температуре коллектора 298 K
10 W
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 298 K
1 W
Температура перехода
25 °С
Температура окружающей среды
-40 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
.GIF)