Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p, высокочастотный, универсальный. Предназначен для работы в усилителях коротковолнового диапазона и переключающих схемах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора 1 гр.
Аналоги: BDB02A
Основные параметры
Граничная частота при токе эмиттера 30 mA, напряжении коллектор-эмиттер 10 V
45 MHz
Постоянная времени цепи обратной связи при токе эмиттера 30 mA, частоте 5 MHz, напряжении коллектор-база 10 V
500 ps
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 0.15 A, напряжении коллектор-эмиттер 2 V
40 ... 250
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 0.5 A, токе базы 0.05 A
1 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V
150 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 30 V
10 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V
10 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
45 V
Постоянный ток коллектора
0.5 A
Импульсный ток коллектора
1.5 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре коллектора 60 °С
6.5 W
Температура перехода
125 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус
10 K/W
Температура окружающей среды
-40 ... 60 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
