Справочные данные КТ503В

КТ503В
Нет в продаже

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n структуры, универсальный, низкочастотный, маломощный. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Аналоги: 2N551

Основные параметры

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 5 V, токе эмиттера 3 mA
5 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе эмиттера 10 mA, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
40 ... 120
Граничное напряжение при длительности импульса 30 uS, скважности 100, токе эмиттера 10 mA
40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
0.6 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
1.2 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 V, частоте 465 kHz
20 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 60 V
1 μA

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база
60 V
Постоянное напряжение база-эмиттер
5 V
Постоянный ток коллектора
0.15 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 10 μs, скважности 100
0.35 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 233 ... 298 K
0.35 W
Температура перехода
125 °С
Температура окружающей среды
233 ... 358 K

Габаритный чертеж и расположение выводов:

КТ503В
  © d-vt.ru, 2014
Яндекс цитирования
Рейтинг@Mail.ru