Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p структуры, универсальный, низкочастотный, маломощный. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Аналоги: MPSA70, КТ209
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 5 V, токе эмиттера 3 mA, частоте 1 MHz
5 MHz
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе эмиттера 10 mA, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
40 ... 120
Граничное напряжение при длительности импульса 30 uS, скважности 100, токе эмиттера 10 mA
25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
0.6 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
1.2 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 V, частоте 465 kHz
20 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40 V
1 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер
5 V
Постоянное напряжение коллектор-база при температуре 233 ... 358 K
40 V
Постоянный ток коллектора
0.15 A
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 10 ms, скважности 100
0.35 A
Постоянный ток базы
0.1 A
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 233 ... 298 K
0.35 W
Температура перехода
125 °С
Температура окружающей среды
233 ... 358 K
Габаритный чертеж и расположение выводов:
