Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p, усилительный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Аналоги: 0463
Основные параметры
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при напряжении коллектор-база 10 V, токе эмиттера 5 mA, частоте 5 MHz
500 ps
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 10 V, температуре 100 °С, токе эмиттера 1 mA
50 ... 500
Модуль коэффициента передачи тока при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, частоте 100 MHz, токе эмиттера 5 mA
2.5
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 10 MHz
9 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 10 V, температуре 100 °С
25 μA
Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm, напряжении коллектор-эмиттер 10 V
1 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер
4 V
Постоянное напряжение коллектор-база при температуре 100 °С, сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm
15 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm, температуре 100 °С
15 V
Постоянный ток коллектора
50 mA
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 213 ... 308 K
150 mW
Температура перехода
120 °С
Температура окружающей среды
-60 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
