Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n, усилительный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для работы в усилительных и генераторных схемах высокой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,2 гр.
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе эмиттера 5 mA, напряжении коллектор-база 10 V
120 MHz
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
500 ps
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе эмиттера 20 mA
50 ... 280
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA
0.8 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA
1.1 V
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 15 V
10 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V
10 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
15 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 100 Ohm
15 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
4 V
Постоянный ток коллектора
30 mA
Импульсный ток коллектора
60 mA
Постоянная рассеиваемая мощность
100 mW
Импульсная рассеиваемая мощность при длительности импульса 1 μs
200 mW
Температура перехода
393 K
Общее тепловое сопротивление
0.7 K/W
Температура окружающей среды
233 ... 358 K
Габаритный чертеж и расположение выводов:
