Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n, усилительный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,18 гр.
Аналоги: 2SC33, 2N3293, 2N3294
Основные параметры
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при напряжении коллектор-база 10 V, токе эмиттера 5 mA
500 ns
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 1 mA, напряжении коллектор-эмиттер 10 V
50 ... 350
Модуль коэффициента передачи тока при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе коллектора 1 mA, частоте 100 MHz
2.5
Граничное напряжение при токе эмиттера 5 mA
15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20 мA
0.4 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA
1.1 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V
7 pF
Входное сопротивление при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе коллектора 1 mA
40 Ohm
Выходная проводимость при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе коллектора 1 mA
0.3 uSm
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 10 V
1 μA
Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm, напряжении коллектор-эмиттер 15 V
1 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5 V
30 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение база-эмиттер
6 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm
20 V
Постоянный ток коллектора
100 mA
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 213 ... 298 K
150 mW
Температура перехода
120 °С
Температура окружающей среды
-60 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
