Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n, универсальный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 1 гр.
Аналоги: 2N3340
Основные параметры
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA
120 MHz
Постоянная времени цепи обратной связи при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA, частоте 2 MHz
500 ps
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
50 ... 280
Граничное напряжение при токе эмиттера 7.5 mA
20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA
0.8 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA
1.1 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 2 MHz
5 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 1 V, частоте 2 MHz
20 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 20 V, температуре 298 K
10 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V
10 μA
Время рассасывания при токе коллектора 10 mA, токе базы 2 mA
130 nS
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
20 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база 100 Ohm
20 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
4 V
Постоянный ток коллектора
30 mA
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 1 μs, скважности 10
60 mA
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 298 K
225 mW
Импульсная рассеиваемая мощность при длительности импульса 1 μs, скважности 10, температуре 333 K
450 mW
Температура перехода
115 °С
Общее тепловое сопротивление
0.4 K/mW
Температура окружающей среды
233 ... 358 K
Габаритный чертеж и расположение выводов:
