Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, высокочастотные, усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для усиления, генерирования и переключения сигналов низкой и высокой частот.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Аналоги: 2SA1409L, MPS6519
Основные параметры
Граничная частота при напряжении коллектор-база 5 V, токе эмиттера 10 mA
200 MHz
Коэффициент шума при напряжении коллектор-база 5 V, токе коллектора 0.2 mA, частоте 1 kHz, внутреннем сопротивлении 2 kOhm
10 dB
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 5 V, токе эмиттера 2 mA
380 ... 800
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 0.5 mA
0.2 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100 mA
0.5 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100 mA, токе базы 5 mA
1 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 0.5 mA
0.8 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V
7 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 20 V
0.1 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5 V
0.1 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
30 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
25 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
5 V
Постоянный ток коллектора
100 mA
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 10 μs, скважности 2
200 mA
Постоянный ток базы
5 mA
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при температуре 125 °С
60 mW
Температура перехода
150 °С
Общее тепловое сопротивление
420 K/W
Температура окружающей среды
-60 ... 125 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
