Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n усилительный, высокочастотный, маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для применения в усилительных и генераторных схемах высокой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.
Основные параметры
Коэффициент шума при токе коллектора 0.2 mA, частоте 1 kHz, внутреннем сопротивлении 2 kOhm, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
4 dB
Постоянная времени цепи обратной связи при напряжении коллектор-эмиттер 5 V, токе эмиттера 10 mA, частоте 30 MHz
100 ms
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 5 V, токе эмиттера 2 mA
200 ... 500
Модуль коэффициента передачи тока при частоте 100 MHz, токе эмиттера 10 mA, напряжении коллектор-база 5 V
3
Граничное напряжение при токе эмиттера 10 mA
15 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 V, частоте 10 MHz
6 pF
Обратный ток коллектора при температуре 358 K, напряжении коллектор-эмиттер 20 V
5 μA
Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30 V
0.05 μA
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5 V
10 μA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база
30 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
30 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
5 V
Постоянный ток коллектора
100 mA
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 40 μs, скважности 500
200 mA
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 233 ... 298 K
250 mW
Температура p-n перехода
125 °С
Тепловое сопротивление переход-среда
0.4 K/mW
Температура окружающей среды
233 ... 358 K
Габаритный чертеж и расположение выводов:
