Нет в продаже
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p, маломощный. Предназначен для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0.3 гр.
Аналоги: PN5138
Основные параметры
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 30 mA, температуре 298 ... 273 K, напряжении коллектор-эмиттер 1 V
40 ... 240
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 300 mA, токе базы 30 mA
0.4 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 300 mA, токе базы 30 mA
1.5 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 500 KHz
50 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0.5 V, частоте 1 MHz
100 pF
Обратный ток эмиттера при температуре 298 ... 373 K, напряжении эмиттер-база 10 V
1 μA
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 5 V, токе коллектора 5 mA
130 ... 2500 Ohm
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база при температуре 298 ... 373 K
30 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 10 kOhm, температуре 298 ... 273 K
30 V
Постоянное напряжение эмиттер-база при температуре 298 ... 373 K
10 V
Постоянный ток коллектора
300 mA
Импульсный ток коллектора
500 mA
Постоянный ток базы
100 mA
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
200 mW
Температура перехода
125 °С
Тепловое сопротивление переход-среда
0.45 K/mW
Температура окружающей среды
-45 ... 100 °С
Габаритный чертеж и расположение выводов:
