Нет в продаже
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой N-типа.
Предназначены для применения в схемах генераторов.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса прибора не более 0,45 г.
Основные параметры
Граничная частота
200 kHz
Напряжение насыщения база-эмиттер
5 V
Коэффициент передачи при межбазовом напряжении 10 V
0.5 ... 0.7
Ток включения
20 mA
Ток выключения
1 mA
Межбазовое сопротивление
4 ... 7.5 kOhm
Время включения
3 μs
Минимальный ток базы 2
10 mA
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный ток эмиттера
50 mA
Постоянный ток эмиттер-база
1 μA
Импульсный ток эмиттера
1 A
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 35 °С
300 mW
Температура перехода
130 °С
Тепловое сопротивление переход-среда
0.33 °С/W
Температура окружающей среды
125 °С
Допустимое межбазовое напряжение
30 V
Допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой 2
30 V
Габаритный чертеж и расположение выводов:
