Справочные данные 2N5550

2N5550
Нет в продаже

Транзистор кремниевый маломощный усилительный структуры PNP эпитаксиальный.
Предназначен работы в каскадах усиления промежуточной и высокой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе типа ТО-92 с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса прибора не более 0,23 гр.

Основные параметры

Коэффициент шума при токе коллектора 250 μA, частоте 1 kHz, внутреннем сопротивлении 1 kOhm, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 10 mA, напряжении коллектор-эмиттер 5 V
60 ... 250
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при частоте 1 kHz
50 ... 200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
0.15 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10 mA, токе базы 1 mA
1 V
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 100 V
100 nA
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V
50 nA
Пробивное напряжение эмиттер-база при токе эмиттера 10 μA
6 V
Пробивное напряжение коллектор-база при токе коллектора 100 μA
160 V
Входная емкость при напряжении эмиттер-база 0.5 V, частоте 1 MHz
30 pF
Выходная емкость при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 1 MHz
6 pF

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база
160 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
140 V
Постоянное напряжение эмиттер-база
6 V
Постоянный ток коллектора
600 mA
Постоянная рассеиваемая мощность
625 mW
Температура перехода
150 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус
83.3 °С/W
Тепловое сопротивление переход-среда
200 °С/W
Температура окружающей среды
-55 ... 150 °С

Габаритный чертеж и расположение выводов:

2N5550
  © d-vt.ru, 2014
Яндекс цитирования
Рейтинг@Mail.ru